Bagong Orihinal na LM25118Q1MH/NOPB Integrated Circuit IC REG CTRLR BUCK 20TSSOP Ic Chip LM25118Q1MH/NOPB

1. Kasabay na bucking

Mga kalamangan.

Mataas na kahusayan: ang panloob na resistensya ng mos tube ay napakaliit at ang on-state na pagbagsak ng boltahe ay mas maliit kaysa sa pasulong na pagbaba ng boltahe ng Cosmos ng Schottky diode.

Mga disadvantages.

Hindi sapat na katatagan: kailangang idisenyo ang drive circuit, at iwasan ang itaas at ibabang tubo sa parehong oras, ang circuit ay mas kumplikado, na nagreresulta sa hindi sapat na katatagan

2. di-kasabay na usang lalaki

Mga kalamangan.

Mababang kahusayan: Malaki ang pagbaba ng boltahe ng Schottky diode, na nauugnay sa pagkonsumo ng kuryente na nabuo ng mos tube

Mga disadvantages.

Mataas na katatagan: hindi magkakaroon ng sabay-sabay na pagpapadaloy ng upper at lower tubes.

1: PFM (pulse frequency modulation method)

Ang paglipat ng lapad ng pulso ay tiyak, sa pamamagitan ng pagbabago ng dalas ng output ng pulso, ang output boltahe ay nagpapatatag.ng uri ng kontrol ay may bentahe ng mababang paggamit ng kuryente kahit na ginamit nang mahabang panahon, lalo na sa maliliit na karga.

2: PWM (Pulse Width Modulation)

Ang uri ng kontrol ng PWM ay lubos na mahusay at may magandang output boltahe ripple at ingay.

Upang ibuod: Sa pangkalahatan, ang mga pagkakaiba sa pagganap sa pagitan ng mga DC-DC converter na may dalawang magkaibang pamamaraan ng modulasyon, PFM at PWM, ay ang mga sumusunod.

PWM frequency, PFM duty cycle na paraan ng pagpili.PWM/PFM conversion type PFM control sa maliliit na load at automatic switch to PWM control sa heavy load.

3.

Ano ang pagkakaiba sa pagitan ng mga kasabay na boost IC at asynchronous boost ICs?

Ang pangunahing pagkakaiba sa pagitan ng mga kasabay na boost IC at asynchronous na mga boost ay ang pagkakaiba sa mga pamamaraan ng pagwawasto.

Ang synchronous boost IC circuit ay gumagamit ng MOS dahil ang MOS tubes ay may napakababang panloob na resistensya sa bukas na estado at ang mga pagkalugi sa proseso ng pagwawasto ay napakababa, kaya ang kahusayan ng sabaysabay na pagpapalakas ay mataas at ang init na henerasyon ay mababa.Maaari itong magamit para sa mga high-power boost application.

Ang mga asynchronous boost IC circuit ay gumagamit ng mga diode para sa pagwawasto.Ang mga diode ay may junction voltage drop sa proseso ng pagwawasto.Kung mas mataas ang kasalukuyang sa proseso ng pagwawasto, mas mataas ang mga pagkalugi.Karaniwan, ang kapangyarihan ay hindi maaaring maging mataas na kapangyarihan.